湖南三****管厂家|【天盛微电子】(在线咨询)|湖南三****管

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三****管的主要参数；

（1）集电****一基****反向饱和电流ICbo，发射****开路（Ie=0)时，基****和集电****之间加上规定的反向电压Vcb时的集电****反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电****一基****的反向饱和电流。良好的三****管，Icbo很小，湖南三****管厂家，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。

（2）集电****一发射****反向电流ICeo(穿透电流）基****开路（Ib=0）时，集电****和发射****之间加上规定反向电压Vce时的集电****电流。Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1 β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响****大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。

（3）发射****---基****反向电流Iebo 集电****开路时，在发射****与基****之间加上规定的反向电压时发射****的电流，湖南三****管厂家哪家好，它实际上是发射结的反向饱和电流。

（4）直流电流放大系数β1（或hEF） 这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电****输出的直流电流与基****输入的直流电流的比值，即：β1=IC/Ib

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1、将TVS二****管加在信号及电源线上，能****微处理器或单片机因瞬间的脉冲，如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。

2、静电放电效应能释放超过10000V、60A以上的脉冲，并能持续10ms;而一般的TTL器件，遇到超过30ms的10V脉冲时，便会导至损坏。利用TVS二****管，湖南三****管，可有效吸收会造成器件损坏的脉冲，并能消除由总线之间开关所引起的干扰(Crosstalk)。

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