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四大因素导致未来几年半导体硅片将供不应求。

1）全球晶圆代工大厂台积电、三星电子、英特尔进入高1端制程工艺竞赛，硅片，20nm以下的****工艺将在整个晶圆代工中的比例越来越高，****的工艺对高质量大硅片的需求越来越大；

2）三星、SK海力士、英特尔／美光、东芝等全力投入3D NAND扩产，3D NAND的****热潮将刺激300mm大硅片的需求；

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硅片

在米粒大的硅片上，已能集成16万个晶体管，这是科学技术进步的又一个里程碑。地壳中含量达25.8%的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。由于硅元素是地壳中储量****丰富的元素之一，对太阳能电池这样注定要进入大规模市场（mas*arket）的产品而言，储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。

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硅片厚度也是影响生产力的一个因素，光伏太阳能硅片，因为它关系到每个硅块所生产出的硅片数量。超薄的硅片给线锯技术提出了额外的挑战，因为其生产过程要困难得多。除了硅片的机械脆性以外，如果线锯工艺没有精密控制，细微的裂纹和弯曲都会对产品良率产生负1面影响。超薄硅片线锯系统必须可以对工艺线性、切割线速度和压力、以及切割冷却液进行精密控制。

无论硅片的厚薄，晶体硅光伏电池制造商都对硅片的质量提出了****高的要求。硅片不能有表面损伤（细微裂纹、线锯印记），形貌缺陷（弯曲、凹凸、厚薄不均）要****1小化，对额外后端处理如抛光等的要求也要降到****1低。