硅片*示踪原子分析和质谱分析表明,采用*体系清洗硅片效果****,同时所用的全部化学*
H2O2、NH4OH、HCl能够完全挥发掉。用H2SO4和H2O2清洗硅片时,在硅片表面会留下约2×1010原子每平方厘米的硫原子,用后一种酸性
清洗液时可以完全被清除。用H2O2体系清洗硅片无残留物,*性小,也有利于工人健康和环境保护。硅片清洗中用各步清洗液处理后,都要用超纯水*冲洗
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生产商必须平衡这些相关的因素使生产力达到****。更高的切割速度和更大的荷载将会加大切割切割线的拉力,增加切割线断裂的风险。由于同一硅块上所
有硅片是同时被切割的,只要有一条切割线断裂,所有部分切割的硅片都不得不丢弃。
然而,使用更粗更牢固的切割线也并不可取,这会减少每次切割所生产的硅片数量,并增加硅原料的消耗量。
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工艺编辑面临挑战切割线直径更细的切割线意味着更低的截口损失,也就是说同一个硅块可以生产更多的硅片。然而,切割线更细更容易断裂。荷载每次切割的总面积,等于硅片面积X每次切割的硅块数量X每个硅块所切割成的硅片数量 。切割速度切割台通过切割线切割网的速度,这在很大程度上取决于切割线运动速度,马达功率和切割线拉力。易于维护性线锯在切割之间需要更换切割线和研磨浆,维护的速度越快,总体的生产力就越
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