靶材的结晶粒子直径和均匀性 已被认为是影响薄膜沉 积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关 系****大，过去99.995 %（4 N5） 纯度的铜靶，或许能够满 足半导体厂商0.3 5pm 工艺的需求，但是却无法满足如今0.2 5um的工艺要求， 而未米的 0.18um }艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达 到5甚至 6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的*电迁移能力及更 低的电阻率，能够满足！ 铟靶材厂家，铟靶材价格，铟靶材回收，铟靶材哪家好

如今一般采取一种方法生产 I T O 靶材，利用 L } I R F反应溅射镀膜． 它具有沉积速度快．且能****控制膜厚，电导率高，薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点 l。但是靶材制作困难，这是因为氧化铟和 *不容易烧结在一起。一般采用 Z r O2 、B i 2 O 3 、 C e O 等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的 9 3 %~9 8 %的靶材，这种方式形成的 I T O薄膜的性能 与添加剂的关系****大。铟靶材厂家，铟靶材价格，铟靶材回收，铟靶材哪家好

众所周知，靶材材料的技术发展趋势与下游应用 产业的薄膜技术发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化。如Ic制造商．近段时间致力于低电阻率铜布线的开发， 预计未来几年将大幅度取代原来的铝膜，这样铜靶及其所需阻挡层靶材的开发将刻不容缓。铟靶材厂家，铟靶材价格，铟靶材回收