晶迈中科四氧化三钴靶材Co3O4靶材磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

纯度 99.99%

产品介绍

     四氧化三钴（cobaltosic oxide），化学式Co3O4。与四氧化三铁类似，可以近似的看作氧化钴（CoO）与氧化高钴（Co2O3）形成的化合物。为黑色或灰黑色粉末。松装密度0.5-1.5g/cm3，振实密度2.0-3.0g/cm3。露置空气中易于吸收水分，但不生成水合物。易溶于*。加热到1200℃以上时会分解为氧化亚钴。在氢气火焰中强热到900℃时，还原为金属钴。

产品参数

中文名 四氧化三钴                 化学式 Co3O4
分子量 240.8                         密度（g/mL，25℃）6.05
熔点（ºC） 895                    熔点（ºC）895

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服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，*，售后无忧！
产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/
适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 
质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。 
加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库

  北京晶迈中科材料技术有限公司坐落于北京通州区创建于2016年,是国内有色金属行业综合性研究开发公司。 现有员工100余人。我公司光学镀膜材料中心，多年来一直从事光学镀膜材料及溅射靶材的研发与生产。靶材包括各种氧化物、硫化物、氟化物、碲化物、硒化物、硼化物、复合物、金属及合金等，也可根据您的要求量身定做。通过严格控制生产、并持续改进、稳步发展，致力为客户提供****的产品。

     公司现有靶材热压炉；真空蒸馏装置，电解槽，单晶炉，区熔装置，CVD（化学气象沉积）装置，PVD装置，移动式加热装置等多种高纯金属和化合物生产研发设备；提纯工艺包括：真空蒸馏；精馏；区域熔炼；电解；化学气象沉积；热扩散；单晶提拉法等。纯度从99.9%-99.99999%,公司先后研发的蒸发材料、溅射靶材系列产品，产品涉及工具/装饰镀膜、玻璃镀膜、光学镀膜、平面显示/触摸屏镀膜、薄膜太阳能镀膜等多个领域广泛应用到国内外众多*太阳能、航空航天、生物医疗、*微电子、信息储存、汽车、船舶、装饰、工业镀膜、新能源企业当中。

   自有设备：真空热压炉，真空中频感应熔炼炉，冷坩埚悬浮熔炼炉，非自耗真空电弧炉，真空高温加热炉，真空烧结炉，真空蒸馏炉，定向凝固，区域熔炼炉，多温区加热炉，单晶炉，高温烧结炉，单温区，双温区、多温区液相、气相合成炉、氧化炉、加工设备。

     北京晶迈中科材料技术有限公司几年来已先后与国内几十家*高校、中科院等研究院所建立了长期友好的合作关系，并与这些科研单位有密切的学术交流和技术合作项目，并远销欧洲、美国、日本、韩国等，在镀膜行业拥有良好的声誉。