整流二****管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二****管****重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二****管的正****流入，负****流出。通常它包含一个PN结，有正****和负****两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二****管具有明显的单向导电性。整流二****管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二****管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二****管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二****管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。

整流二****管损坏原因

（1）防雷、过电压保护措施不力。整流装置末设置防雷、过电压保护装置，即使设置了防雷、过电压保护装置，但其工作不可靠，因雷击或过电压而损坏整流管。

（2）运行条件恶劣。间接传动的发电机组，因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求，使发电机长期处于高转速下运行，而整流管也就长期处于较高的电压下工作，促使整流管加速老化，并被过早地击穿损坏。

（3）运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任，对外界负荷的变化(特别是在深夜零点至第二天上午6点之间)不了解，或是当外界发生了甩负荷故障，运行人员没有及时进行相应的操作处理，产生过电压而将整流管击穿损坏。

整流二****管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二****管****重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二****管的正****流入，负****流出。通常它包含一个PN结，有正****和负****两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二****管具有明显的单向导电性。整流二****管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二****管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二****管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二****管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。