串联型稳压电路(如图5):在此电路中,串联稳压管BG的基****被稳压二****管D钳定在13V,那么其发射****就输出恒定的12V电压了.这个电路在很多场合下都有应用。

晶体管射随电路

在很多的电子电路中,为了减少后级电路对前级电路的影响和有些前级电路的输出要求有较强的带负载能力(即要求输出阻*较低)时,要用到缓冲电路,从而达到增强电路的带负载能力和前后级阻*匹配,晶体管射随器就是一种达到上述功能的缓冲电路。

晶体管射随电路实际上是晶体管共发电路,它是晶体三****管三大电路形式之一(共基电路、共集电路、共发电路),它的电路基本形式如图A1所示.　

二****管特性

外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二****管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二****管正向导通，电流随电压*而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二****管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二****管的正向电压。当二****管两端的正向电压超过一定数值

，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二****管正向导通。

叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二****管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二****管的正向导通压降约为0.2~0.3V。

检测双向触发二****管

将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万同样的方法测出VBR值。****后将VBO与VBR进行比较，两者的****值之差越小，说明被测双向触发二****管的对称性越好。

瞬态电压*二****管(TVS)的检测

A.用万用表测量管子的好坏对于单要****型的TVS，按照测量普通二****管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。

对于双向****型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。