半导体二****管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二****管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二****管分类如下：

点接触型

点接触型二****管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二****管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。

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稳压二****管的原理及应用

稳压二****管(又叫齐纳二****管)它的电路符号是此二****管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二****管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二****管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压.

晶体二****管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的*移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二****管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。