1、变容二****管的作用是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。

变容二****管属于反偏压二****管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的，如右图所示。

2、变容二****管的电容值与反向偏压值的关系图解：

(a) 反向偏压增加，造成电容减少；

(b) 反向偏压减少，造成电容增加。

电容误差范围是一个规定的变容二****管的电容量范围。数据表将显示****小值、标称值及****大值，这些经常绘在图上。

半导体二****管

二****管的伏安特性　阳****：由P区引出的电****为阳****。

阴****：由N区引出的电****为阴****。

点接触型二****管，通过的电流小，结电容小，适用于高频电路和开关电路。

面接触型二****管，结面积大，电流大，结电容大，适用于低频整流电路。

平面型二****管，结面积较大时可以通过较大电流，适用于大功率整流，结面积较小时，可作为数字电路中的开关管。

二****管特性

外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二****管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二****管正向导通，电流随电压*而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二****管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二****管的正向电压。当二****管两端的正向电压超过一定数值

，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二****管正向导通。

叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二****管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二****管的正向导通压降约为0.2~0.3V。