高温等离子体只有在温度足够高时发生的。恒星不断地发出这种等离子体，组成了宇宙的99%。低温等离子体是在常温下发生的等离子体（虽然电子的温度很高）。低温等离子体可以被用于氧化、变性等表面处理或者在有机物和无机物上进行沉淀涂层处理。

等离子体（Pla*a）是一种由自由电子和带电离子为主要成分的物质形态，广泛存在于宇宙中，滨州等离子，常被视为是物质的第四态，被称为等离子态，或者“超气态”，在线等离子清洗机，也称“电浆体”。等离子体具有很高的电导率，与电磁场存在****强的耦合作用。等离子体是由克鲁克斯在1879年发现的，1928年美国科学家欧文·朗缪尔和汤克斯（Tonks）首‘ci将“等离子体”（pla*a）一词引入物理学，

用来描述气体放电管里的物质形态[1]。严格来说，等离子体是具有高位能动能的气体团，等离子体的总带电量仍是中性，借由电场或磁场的高动能将外层的电子击出，在线等离子处理设备，结果电子已不再被束缚于原子核，而成为高位能高动能的自由电子。

用等离子体清洗硅晶片表面上的光致*蚀膜，称为腐蚀去除的脱膜过程。

图Io—35表示的是用等离子体对硅晶片的刻蚀过程和光致*蚀膜的去除过程。是用不活泼气体CF4与活泼气体O2组成的等离子体共同作用。

对硅晶片的刻蚀目的是去除硅晶片表面未被光致*蚀膜保护的二氧化硅。使用的刻蚀气体为CF4；刻蚀条件为200W， 40P9(0.3Torr)等离子体处理6～8min。其反应机理为： SiO2 4F*——gt;SiF4 02

由图10-35中的a．至b．的变化可见此过程。

而光致*蚀膜的脱膜过程使用的等离子体处理所用的气体为O2；脱膜条件为 400W，133.3Pa(L 0Torr)等离子体：处理10min。

在等离子体中存在下列物质：被加速而处于高速运动状态的电子；处于激发状态的中性原子、分子；离子化的原子、分子；解离反应过程生成的紫外线；未反应的原子和分子。

等离子体状态中，PTI等离子，在电场中加速运动的电子和离子具有很大的动能，能提供激发氧气和四氟化碳(CF4)组成的体系活化所需要的能量。另外，等离子体中含有紫外线和其他光能量，都可以被表面处理工艺加以利用。例如，将塑料表面进行等离子体处理，可以****和****它，们的印刷性能，这种工艺早已在实践中得到应用。现在半导体中用等离子体处理，****薄膜形成、结晶成长、离子加工、表面分析，已形成丰富多彩的工艺应用。