等离子清洗原理与超声波原理不同，当舱体里接近真空状态时，开启射频电源，这时气体分子电离，产生等离子体，并且伴随辉光放电现象，等离子体在电场下加速，从而在电场作用下高速运动，对物体表面发生物理碰撞，徐州等离子，等离子的能量足以去除各种污染物，同时氧离子可以将有机污染物氧化为二氧化碳和水蒸气排出舱体外。

等离子清洗不需要其他的原料，只要空气就能够满足要求，使用方便而且没有污染，同时比超声波清洗更具有的优势是等离子不但可以进行表面清洗，更重要的是可以****表面活性，等离子体与物体表面进行化学反应能够产生活性化学集团，这些化学集团有很高的活性，从而应用范围很广，等离子机，比如****材料表面粘接能力，****焊接能力，PTI等离子清洗机，邦定性，亲水性等等很多方面，因此等离子清洗已经成为清洗行业的主流与趋势。

等离子体所与核工业二三建设公司签署战略合作协议

　　11月24日上午，等离子清洁设备，中科院等离子体所与中国核工业二三建设有限公司签署战略合作协议。等离子体所所长万宝年与中国核工业二三建设有限公司董事长、党委*徐永强代表双方签字。

　　中国核工业二三建设有限公司副总经理范凯，国际事业部总经理冯满军、总工程师张伟栋，等离子体所党委*张晓东、副所长吴新潮、所长助理赵君煜及相关部门负责人等出席签约仪式，中国国际核聚变能源计划执行中心房同珍处长见证全过程。

用等离子体清洗硅晶片表面上的光致*蚀膜，称为腐蚀去除的脱膜过程。

图Io—35表示的是用等离子体对硅晶片的刻蚀过程和光致*蚀膜的去除过程。是用不活泼气体CF4与活泼气体O2组成的等离子体共同作用。

对硅晶片的刻蚀目的是去除硅晶片表面未被光致*蚀膜保护的二氧化硅。使用的刻蚀气体为CF4；刻蚀条件为200W， 40P9(0.3Torr)等离子体处理6～8min。其反应机理为： SiO2 4F*——gt;SiF4 02

由图10-35中的a．至b．的变化可见此过程。

而光致*蚀膜的脱膜过程使用的等离子体处理所用的气体为O2；脱膜条件为 400W，133.3Pa(L 0Torr)等离子体：处理10min。