IGBT封装用氮化铝盘
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中国 福建 泉州 晋江市
产品属性
- 厚度:
- 1.5-3 毫米等提供图纸可定制
- 导热系数:
- 170W/米·K
- 介电常数:
- 8-9 (兆赫)
- 表面粗糙度:
- 双面 Ra < 0.6 μm
- 材质:
- 绝缘器件陶瓷
- 品牌/厂家:
- 其他
- 材质类型:
- 氮化硅陶瓷
- 产品名称:
- IGBT封装用氮化铝盘
- 牌号:
- 福建华清
- 功能:
- 逆变器应用的 IGBT 用于空调和冰箱等家电产品、工业电机和汽车主电机控制器
- 用途:
- 应用于电子电力 LED行业、大功率器件、光通信、高频通信、汽车电子行业
- 外观:
- 灰色
- 产地:
- 福建晋江
- 密度:
- 3.3 克/立方厘米
- 硬度:
- 400兆帕
- 熔点:
- 1900℃
- 烧结温度:
- 1800℃
- 适用温度:
- 1000℃-1800℃
- 热膨胀系数:
- 10-6 /℃
- 介电强度:
- 8MHz-10MHz
- 抗弯性能:
- ≥450MPa
- 体积电阻率:
- 20℃,Ω .cm
- 相对介电常数:
- 1MHz
- 规格尺寸:
- φ26,φ35,φ40mm等提供图纸可定制
氮化铝优良绝缘,高频损耗小,耐热,热膨胀系数小,机械强度大,热传导好,耐化学腐蚀,稳定,热导率高,光传输特性好,电性能优良,机械性能好,尺寸大小及厚度可根据顾客要求定制。公司已经拥有一整套从日本、美国等国进口的、配备完善的电子陶瓷生产设备和检测仪器,是一家规模化、采用流延法生产氮化铝陶瓷基板的企业,主导产品是氮化铝陶瓷基板及其相关电子元器件。与国外同行企业相比较,在氮化铝陶瓷基板流延浆料配制、低温烧结等方面,公司自有的氮化铝陶瓷流延法生产技术与工艺,所生产的氮化铝陶瓷基板具有高的热导率、较低的介电常数和介质损耗、优良的力学性能,可广泛应用于电子信息、电力电子等高技术领域。开发了一种将氮化铝 (AlN) 直接晶圆键合到镀有 AlN 的晶圆的方法。晶圆直接键合需要光滑、平坦、亲水的表面,这些表面能够被适当带电的氢分子表面处理。华清可以提供非常光滑(Ra≤0.03um)和平坦表面的AlN衬底。我们的氮化铝基板 (AlN) 有各种尺寸和厚度可供选择。IGBT 广泛用作逆变器电路(用于直流到交流转换)中的开关器件,用于驱动小型到大型电机。用于逆变器应用的 IGBT 用于空调和冰箱等家电产品、工业电机和汽车主电机控制器,以提高其效率。由于功率输出大,对散热要求非常高,而氮化铝作为超高导热材料恰好适合这种应用。得益于大量的实时库存,我们可以快速运送您的零件,以便您开始您的项目。请联系我们定制。我们还可以提供导热系数高达 230W/mK 的氮化铝 (AlN) 陶瓷。
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