福建华清电子材料科技有限公司

主营:半导体、元器件材料,电子元器件、无机非金属材料、制品,AlN、Al2O3电子陶瓷基板

IGBT封装用氮化铝盘

面议 中国 福建 泉州 晋江市

产品属性

厚度:
1.5-3 毫米等提供图纸可定制
导热系数:
170W/米·K
介电常数:
8-9 (兆赫)
表面粗糙度:
双面 Ra < 0.6 μm
材质:
绝缘器件陶瓷
品牌/厂家:
其他
材质类型:
氮化硅陶瓷
产品名称:
IGBT封装用氮化铝盘
牌号:
福建华清
功能:
逆变器应用的 IGBT 用于空调和冰箱等家电产品、工业电机和汽车主电机控制器
用途:
应用于电子电力 LED行业、大功率器件、光通信、高频通信、汽车电子行业
外观:
灰色
产地:
福建晋江
密度:
3.3 克/立方厘米
硬度:
400兆帕
熔点:
1900℃
烧结温度:
1800℃
适用温度:
1000℃-1800℃
热膨胀系数:
10-6 /℃
介电强度:
8MHz-10MHz
抗弯性能:
≥450MPa
体积电阻率:
20℃,Ω .cm
相对介电常数:
1MHz
规格尺寸:
φ26,φ35,φ40mm等提供图纸可定制

氮化铝优良绝缘,高频损耗小,耐热,热膨胀系数小,机械强度大,热传导好,耐化学腐蚀,稳定,热导率高,光传输特性好,电性能优良,机械性能好,尺寸大小及厚度可根据顾客要求定制。公司已经拥有一整套从日本、美国等国进口的、配备完善的电子陶瓷生产设备和检测仪器,是一家规模化、采用流延法生产氮化铝陶瓷基板的企业,主导产品是氮化铝陶瓷基板及其相关电子元器件。与国外同行企业相比较,在氮化铝陶瓷基板流延浆料配制、低温烧结等方面,公司自有的氮化铝陶瓷流延法生产技术与工艺,所生产的氮化铝陶瓷基板具有高的热导率、较低的介电常数和介质损耗、优良的力学性能,可广泛应用于电子信息、电力电子等高技术领域。开发了一种将氮化铝 (AlN) 直接晶圆键合到镀有 AlN 的晶圆的方法。晶圆直接键合需要光滑、平坦、亲水的表面,这些表面能够被适当带电的氢分子表面处理。华清可以提供非常光滑(Ra≤0.03um)和平坦表面的AlN衬底。我们的氮化铝基板 (AlN) 有各种尺寸和厚度可供选择。IGBT 广泛用作逆变器电路(用于直流到交流转换)中的开关器件,用于驱动小型到大型电机。用于逆变器应用的 IGBT 用于空调和冰箱等家电产品、工业电机和汽车主电机控制器,以提高其效率。由于功率输出大,对散热要求非常高,而氮化铝作为超高导热材料恰好适合这种应用。得益于大量的实时库存,我们可以快速运送您的零件,以便您开始您的项目。请联系我们定制。我们还可以提供导热系数高达 230W/mK 的氮化铝 (AlN) 陶瓷。

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