PTC305H高温压力传感器 主要用于测量锅炉、管道、高温反应容器内的压力、井下压力和各种发动机腔体内的压力、高温油品液位与检测、油井测压等领域。目前，研究比较多的高温压力传感器主要有SOS，SOI，SiO2，Poly2Si等半导体传感器，还有溅射合金薄膜高温压力传感器、高温光纤压力传感器和高温电容式压力传感器等。半导体电容式压力传感器相比压阻式压力传感器其灵敏度高、温度稳定性好、功耗小，且只对压力敏感，对应力不敏感，因此，电容式压力传感器在许多领域得到广泛应用。

PTC305H高温压力传感器产品特点    
耐高温（特殊处理产品可耐400℃/80ms）
全不锈钢外壳，****的腐蚀性能           
采用压阻式扩散硅芯片，固有频率高于压电式动态压力传感器（固有频率可达1MHz）
信噪比好、高分辨率、高信噪比、*干扰能力强 
外形尺寸小，重量轻，类型齐全，*        
适用于高温管道蒸汽、化爆实验、水工、空气动力力学实验等****测量行业


PTC305H高温压力传感器技术参数 
量    程： -0.1～0～1～150(MPa)  
综合精度： 0.25%FS、0.5%FS 
输出信号： 4～20mA(二线制)、0～5V、1～5V、0～10V(三线制) 
供电电压： 24DCV(9～36DCV) 
介质温度：-30℃～160～200℃～400℃
环境温度： 常温(-20～85℃) 
负载电阻： 电流输出型：800Ω；电压输出型：大于50KΩ 
绝缘电阻： 大于2000MΩ (100VDC) 
密封等级： IP65 
长期稳定性能：0.1%FS/年 
振动影响： 在机械振动频率20Hz～1000Hz内，输出变化小于0.1%FS 
电气接口： 防水密封端子或赫丝曼接头
螺纹连接：M14×1.5、M20×1.5等，其它螺纹可依据客户要求设计
外形尺寸：M20×Φ26×145

为了解决如高温400℃等恶劣环境下的压力测量问题,基于微机电系统(MEMS)和高能氧离子注入(SIMOX)技术,研制了一种量程为0～120 kPa的压阻式压力传感器.该传感器芯片由硅基底、薄层二氧化硅、惠斯登电桥结构的硼离子注入层、氮化硅应力匹配层、钛-铂-金梁式引线层和由湿法刻蚀形成的空腔组成.在氧剂量1.4×1018/cm2和注入能量200 keV条件下,由高能氧离子注入技术形成厚度为367 nm的埋层二氧化硅层,从而将上部测量电路层和硅基底隔离开,解决了漏电流问题,使得传感器芯片可以在高温200 ℃以上的环境下使用.为了****传感器在宽温度范围内的稳定性,对温度补偿工艺进行了研究,补偿后的传感器灵敏度温度系数和零位温度系数很容易控制在1×10-4/℃·FS.实验标定结果表明:在200 ℃下,研发的耐高温压力传感器具有很好的工作性能,其线性度误差达0.12%FS、重复性误差为0.1%FS、迟滞误差为0.12%FS,精度达0.197%FS,满足油井、风洞、汽车和石化工业等现代工业的应用需求.

耐高温压力传感器从原理上说是一种硅压阻式压力传感器。利用sOI的单晶硅膜制备的压敏电阻条，其灵敏度较多晶硅电阻条高，且在高温下仍具有较好的压阻效应；在相同尺寸下，SOI结构的漏电流比硅PN结低3个数量级，因此SOI材料适合研制高温压力传感器。http://www.fshaomin*wyl/

耐高温压力传感器广泛应用于航空航天、石油化工、汽车等领域高温环境下的压力测量。如测量航空航天发动机燃烧室在启动、停车、不稳定燃烧期间的各种瞬变压强，从而掌握燃烧室压强变化规律，为设计和评价发动机提供依据；测量石油化工领域各种反应釜、冶炼塔、采油井下的压力，为安全生产、****石油产量提供判据；测量能源动力、火工品、汽车工业等在****环境下的压力等。这些领域对耐高温压力传感器的年需求总量约为4万只，随着国 民经济和*现代化的发展，高温压力传感器的市场需求将以每年10%～32%的速率递增。而常规的硅压力传感器只能在120℃以下进行压力测量，超过120℃时，传感器的性能会严重恶化以至失效，当传感器遇到被测流体大于1000℃瞬时高温冲击时，敏感元件就会被烧坏，导致信号处理系统和电路失调。长期以来，美国、瑞士、英国等国外公司的耐高温压力传感器产品垄断了国际市场，我国高温压力传感器产品主要依赖进口， 一直受制于人。