半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离

子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、*残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括

*金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠等，引起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、*、微生物、有机胶体纤维等，会导

致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。

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气逸出的*经特殊的捕集装置收集处理而成。

现代线锯的核心是在研磨浆配合下用于完成切割动作的超细高强度切割线。****多可达1000条切割线相互平行的缠绕在导线轮上形成一个水平的切割线“网

“。马达驱动导线轮使整个切割线网以每秒5到25米的速度移动。切割线的速度、直线运动或来回运动都会在整个切割过程中根据硅锭的形状进行调整。在切割线

运动过程中，喷嘴会持续向切割线喷射含有悬浮碳化硅颗粒的研磨浆。 

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