其电路图形的转移采用上述任何原材料都无法达到其技术指标。因此研制与开发更新型的光致*蚀剂-阳*法电沉积光致*蚀剂（ED法）其基本原理是将水溶性的有机酸化合物等溶于槽液内，形成带有正、负荷的有机树脂团，而把基板铜箔作为一个*性（类似电镀一样）进行“电镀”即电泳，在铜的表面形成5-30μm光致*蚀膜层，陶瓷厚膜电路，是可控制的。其分辨率可达到0.05-0.03mm。这种电路图形转移材料是很有发展前途的工艺方法。当然任何新型有图形转移材料都有它的局限性，随着高科技的发展还会研制与开发更适合更佳的原材料。

一、厚膜混合集成电路

在绝缘基板上（通常为陶瓷）用厚膜技术制作出无源元件及其互联线，再采用厚膜组装技术组装上半导体有源器件、IC芯片和其它无源器件（如薄膜电阻或多层陶瓷电容器）组成具有一定功能的混合微电路——厚膜混合集成电路。 “混合”是因为它们在一种结构内组合两种不同的工艺技术：半导体技术 (如：有源芯片器件)和厚膜技术（成批制造的无源元件）。

例1－7某晶闸管元件测得UDRM＝840V，URRM=980V，试确定此晶闸管的额定电压是多少？

解：根据将UDRM和URRM中的较小值按百位取整后作为该晶闸管的额定值，将两者较小的840V按教材表1－2取整得800V，该晶闸管的额定电压为8级（800V）。

例1－8 有些晶闸管触发导通后，触发脉冲结束时它又关断是什么原因？

解：晶闸管的阳*加正向电压，厚膜电路价格，门*加正向触发脉冲时，晶闸管被触发导通。此后阳*电流逐渐上升到擎住电流后，去掉触发脉冲，则管子继续导通，全国厚膜电路，知道电流升到负载电流后，进入正常工作状态。如果阳*电流还没有升到擎住电流值就去掉门*脉冲，则晶闸管就不能继续导通而关断。

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